Каталог библиотеки БГТУ

1. Список доступных баз данных
2. Статьи
3. Поиск

Результаты поиска по словарям. Статьи

• Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства
  Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Надточий, А. М., Хакимов, Р. Р., Маркеев, А. М., Воробьев, А. А., Гусева, Ю. А., Лихачев, А. И., Колодезный, Е. С., Жуков, А. Е.
  
  Влияние пассивации поверхности цилиндрических мезаструктур на основе GaAs на их оптические свойства, И. А. Мельниченко, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.] 1 файл (598 Кб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 8. - С. 1112-1117 .-
• Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
  Асрян, Л. В. , Зубов, Ф. И., Балезина (Полубавкина), Ю. С., Полубавкина, Ю. С., Моисеев, Э. И., Муретова, М. Е., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1518-1526 Асрян_нарушение
• Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
  Зубов, Ф. И., Семенова, Е. С., Кулькова, И. В., Yvind, K., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 10. - С. 1382-1386 .- Зубов_высокая
• Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства
  Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Жуков, А. Е. , Хабибуллин, Р. А., Маремьянин, К. В., Гавриленко, В. И., Морозов, С. В.
  
  Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 902-905 Цырлин_особенности
• Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27мкм
  Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Блохин, С. А., Бобров, М. А. , Кулагина, М. М., Трошков, С. И., Задиранов, Ю. М., Моисеев, Э. И., Устинов, В. М. , Жуков, А. Е.
  
  Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27мкм, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 3. - С. 393-397 .- Крыжановская_инжекционные
• Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46мкм на основе квантовых точек на положках GaAs
  Максимов, М. В., Надточий, А. М., Шерняков, Ю. М., Паюсов, А. С., Васильев, А. П., Устинов, В. М. , Сeрин, А. А., Гордеев, Н. Ю., Жуков, А. Е.
  
  Влияние конструкции эпитаксиальной структуры и параметров роста на характеристики метаморфных лазеров оптического диапазона 1.46мкм на основе квантовых точек на положках GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1191-1196 Максимов_влияние
• Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs
  Надточий, А. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Рувимов, С. C., Неведомский, В. Н., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Бимодальность в массивах гибридных квантово-размерных гетероструктур In[0.4]Ga[0.6]As, выращенных на подложках GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 57-62 Надточий_оптические
• Оптические свойства гибридных наноструктур ”квантовая яма-точки“, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Рувимов, С. С., Жуков, А. Е.
  
  Оптические свойства гибридных наноструктур ”квантовая яма-точки“, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 3. - С. 372-377 Минтаиров_оптические
• Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
  Полубавкина, Ю. С., Семёнова, Е. С., Зубов, Ф. И., Моисеев, Э. И., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В., Семенова, Е. С., Yvind, K., Асрян, Л. В. , Жуков, А. Е.
  
  Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 2. - С. 263-268 .- Полубавкина_особенности
• Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4°
  Крыжановская, Н. В., Полубавкина, Ю. С., Неведомский, В. Н., Никитина, Е. В., Лазаренко, А. А., Егоров, А. Ю., Максимов, М. В., Моисеев, Э. И., Жуков, А. Е.
  
  Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4° , [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 276-280 Крыжановская_исследование
• Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна
  Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Клочков, А. Н. , Пономарев, Д. С., Мальцев, П. П. , Зайцев, А. А., Зубов, Ф. И., Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э.
  
  Энергетический спектр и тепловые свойства терагерцового квантово-каскадного лазера на основе резонансно-фононного дизайна, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2017 .- Т. 51, вып. 4. - С. 540-546 .- Хабибуллин_энергетический
• Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
  Жуков, А. Е. , Алферов, Ж. И., Цырлин, Г. Э., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Калитеевский, М. А. , Иванов, К. А., Крыжановская, Н. В., Максимов, М. В.
  
  Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 5. - С. 674-678 .- Жуков_многослойные
• Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Максимов, М. В., Надточий, А. М., Неведомский, В. Н., Жуков, А. Е.
  
  Квантовые точки InAs, выращенные в метаморфной матрице In[0.25]Ga[0.75]As методом МОС-гидридной эпитаксии, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 5. - С. 704-710 Минтаиров_квантовые
• Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом
  Крыжановская, Н. В., Иванов, К. А., Моисеев, Э. И., Надточий, А. М., Кулагина, М. М., Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Хабибуллин, Р. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом, Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов [и др.] 1 файл (282 Кб) .- Загл. с титул. экрана .- // Оптика и спектроскопия .- 2023 .- Т. 131, № 11. - С. 1483-1485 .-
• Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах
  Зубов, Ф. И., Максимов, М. В., Гордеев, Н. Ю., Полубавкина, Ю. С., Жуков, А. Е.
  
  Подавление волноводной рекомбинации за счет использования парных асимметричных барьеров в лазерных гетероструктурах, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 2. - С. 260-265 Зубов_подавление
• Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20-300K
  Рыбалко, Д. А., Надточий, А. М., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Спектроскопия возбуждения фотолюминесценции массивов квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs в температурном диапазоне 20-300K, [Электронный ресурс] ил., схем. Оптика и спектроскопия, 2020, Т. 128, вып. 1. - С. 110-117 Рыбалко_спектроскопия
• Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs
  Минтаиров, С. А., Калюжный, Н. А. , Надточий, А. М., Максимов, М. В., Неведомский, В. Н., Сокура, Л. А., Рувимов, С. С., Шварц, М. З., Жуков, А. Е.
  
  Многослойные InGaAs-гетероструктуры ”квантовая яма-точки“ в фотопреобразователях на основе GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1131-1136 Минтаиров_многослойные
• Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
  Зубов, Ф. И., Крыжановская, Н. В., Моисеев, Э. И., Полубавкина, Ю. С., Кулагина, М. М., Задиранов, Ю. М., Трошков, С. И., Липовский, А. А., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство, [Электронный ресурс] ил. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1425-1428 .- Зубов_лазерные
• Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
  Хабибуллин, Р. А., Пономарёв, Д. С., Алферов, Ж. И., Павлов, А. Ю., Пономарев, Д. С., Томош, К. Н., Мальцев, П. П. , Жуков, А. Е. , Цырлин, Г. Э., Зубов, Ф. И.
  
  Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs, [Электронный ресурс] // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 10. - С. 1395-1400 .- Хабибуллин_изготовление
• Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения
  Надточий, А. М., Калюжный, Н. А. , Минтаиров, С. А., Паюсов, А. С., Rouvimov, S. S., Максимов, М. В., Жуков, А. Е.
  
  Оптические свойства гибридных квантово-размерных структур с высоким коэффициентом поглощения, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 9. - С. 1202-1207 .- Надточий_оптические