-
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC
Алексеев, П. А., Буравлёв, А. Д., Дунаевский, М. С., Михайлов, А. О., Лебедев, С. П., Лебедев, А. А., Илькив, И. В., Хребтов, А. И., Буравлев, А. Д., Цырлин, Г. Э.
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511
Алексеев_электрические
-
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом
Сибирев, Н. В., Сибирёв, Н. В., Буравлёв, А. Д., Котляр, К. П., Штром, И. В., Убыйвовк, Е. В., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д., Цырлин, Г. Э.
Солнечный элемент на основе нитевидных нанокристаллов с радиальным гетеропереходом, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2018 .-
Т. 52, вып. 12. - С. 1464-1468 .-
Сибирев_солнечный
-
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)
Кукушкин, С. А., Буравлёв, А. Д., Мизеров, А. М., Гращенко, А. С., Осипов, А. В., Никитина, Е. В., Тимошнев, С. Н. , Буравлев, А. Д.
Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 190-198
Кукушкин_фотоэлектрические
-
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота
Мизеров, А. М., Буравлёв, А. Д., Тимошнев, С. Н. , Соболев, М. C., Никитина, Е. В., Шубина, К. Ю., Березовская, Т. Н., Штром, И. В., Буравлев, А. Д.
Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота, [Электронный ресурс]
цв. ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 12. - С. 1425-1429
Мизеров_особенности
-
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
Трухин, В. Н., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Мустафин, И. А., Цырлин, Г. Э., Kakko, J. P., Lipsanen, H.
Сверхбыстрая динамика электронно-дырочной плазмы в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 23-27
Трухин_сверхбыстрая
-
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy
Штром, И. В., Сибирёв, Н. В., Буравлёв, А. Д., Сибирев, Н. В., Убыйвовк, Е. В., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Резник, Р. Р., Буравлев, А. Д., Цырлин, Г. Э.
Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 5-9
Штром_нитевидные
-
Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
Цырлин, Г. Э., Буравлёв, А. Д., Штром, И. В., Резник, Р. Р., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Буравлев, А. Д., Сошников, И. П.
Гибридные нитевидные нанокристаллы AlGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовой точкой, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния, [Электронный ресурс]
ил., табл.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 11. - С. 1441-1444 .-
Цырлин_гибридные
-
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах
Трухин, В. Н., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Мустафин, И. А., Цырлин, Г. Э., Курицын, Д. И., Румянцев, В. В., Морозов, С. В., Kakko, J. P., Lipsanen, H.
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах, [Электронный ресурс]
ил.
// Физика и техника полупроводников .-
2016 .-
Т. 50, вып. 12. - С. 1587-1591 .-
Трухин_резонансный
-
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN
Штром, И. В., Буравлёв, А. Д., Буравлев, А. Д., Самсоненко, Ю. Б., Хребтов, А. И., Сошников, И. П., Резник, Р. Р., Цырлин, Г. Э., Perros, A., Lipsanen, H.
Пассивация поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов с помощью молекулярного наслаивания AlN, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1644-1646
Штром_пассивация
-
Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити
Платонов, А. В., Буравлёв, А. Д., Кочерешко, В. П., Кац, В. Н., Цырлин, Г. Э., Буравлев, А. Д., Авдошина, Д. В., Delga, A., Besombes, L., Mariette, H.
Поляризация фотолюминесценции квантовых точек, внедренных в квантовые нити, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1675-1678
Платонов_поляризация
