Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC - Статьи - Базы данных - БГТУ

Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC

Авторы: Алексеев, П. А. Буравлёв, А. Д. Дунаевский, М. С. Михайлов, А. О. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Илькив, И. В. Хребтов, А. И. Буравлев, А. Д. Цырлин, Г. Э.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC Электронный ресурс
Аннотация	Исследовались электрофизические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на поверхности (0001) 6H-SiC-подложки, покрытой моно- и бислоями графена. Нитевидные нанокристаллы были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Исследование электрофизических свойств производилось путем измерения и анализа вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных нанокристаллов, вертикально растущих на подложке. Численное моделирование измеренных вольт-амперных характеристк выявило наличие шоттки-барьера высотой ~ 0.6В между нитевидными нанокристаллами и графеном. Возникновение барьера связано с формированием избыточного мышьяка на интерфейсе нитевидный нанокристалл/графен.
Ключевые слова	нитевидные нанокристаллы
	Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511
Имя макрообъекта	Алексеев_электрические