| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690556293 |
| Дата корректировки | 16:21:51 22 ноября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.12.46766.8882 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Алексеев, П. А. | |
|
Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC Электронный ресурс |
|
| Electrical properties of GaAs nanowires grown on the graphene/SiC hybrid substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | цв. ил. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Исследовались электрофизические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на поверхности (0001) 6H-SiC-подложки, покрытой моно- и бислоями графена. Нитевидные нанокристаллы были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием золота в качестве катализатора. Исследование электрофизических свойств производилось путем измерения и анализа вольт-амперных характеристик одиночных нитевидных нанокристаллов, вертикально растущих на подложке. Численное моделирование измеренных вольт-амперных характеристк выявило наличие шоттки-барьера высотой ~ 0.6В между нитевидными нанокристаллами и графеном. Возникновение барьера связано с формированием избыточного мышьяка на интерфейсе нитевидный нанокристалл/графен. |
| Буравлёв, А. Д. | |
| Ключевые слова | нитевидные нанокристаллы |
|
гибридные подложки графен арсенид галлия подложки-SiC карбид кремния молекулярно-пучковая эпитаксия |
|
|
Дунаевский, М. С. Михайлов, А. О. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Илькив, И. В. Хребтов, А. И. Буравлев, А. Д. Цырлин, Г. Э. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 12. - С. 1507-1511 |
|
| Имя макрообъекта | Алексеев_электрические |
| Тип документа | b |
