| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Представлены экспериментальные результаты исследования генерации терагерцового излучения периодическими массивами полупроводниковых нитевидных нанокристаллов на основе GaAs при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами. Было обнаружено, что генерация ТГц излучения имеет резонансный характер вследствие резонансного возбуждения цилиндрических мод в нанокристалле и при оптимальных геометрических параметрах массива полупроводниковых нитевидных нанокристаллов эффективность ТГц генерации превышает аналогичную величину для объемного полупроводника p-InAs, который на данный момент является одним из наиболее эффективных когерентных терагерцовых эмиттеров. |
| Ключевые слова | терагерцовое излучение |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1587-1591 |
| Имя макрообъекта | Трухин_резонансный |
