| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675421138 |
| Дата корректировки | 9:09:11 27 мая 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Трухин, В. Н. | |
|
Резонансный характер генерации терагерцового излучения в полупроводниковых нитевидных нанокристаллах Электронный ресурс |
|
| Observation of the resonant generation of terahertz radiation in semiconductor nanowires | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 5 назв. |
| Аннотация | Представлены экспериментальные результаты исследования генерации терагерцового излучения периодическими массивами полупроводниковых нитевидных нанокристаллов на основе GaAs при возбуждении сверхкороткими оптическими импульсами. Было обнаружено, что генерация ТГц излучения имеет резонансный характер вследствие резонансного возбуждения цилиндрических мод в нанокристалле и при оптимальных геометрических параметрах массива полупроводниковых нитевидных нанокристаллов эффективность ТГц генерации превышает аналогичную величину для объемного полупроводника p-InAs, который на данный момент является одним из наиболее эффективных когерентных терагерцовых эмиттеров. |
| Служебное примечание | Буравлёв, А. Д. |
| Ключевые слова | терагерцовое излучение |
|
полупроводниковые нитевидные нанокристаллы полупроводниковые наноструктуры нитевидные нанокристаллы арсенид галлия полупроводники терагерцовые эмиттеры |
|
|
Буравлев, А. Д. Мустафин, И. А. Цырлин, Г. Э. Курицын, Д. И. Румянцев, В. В. Морозов, С. В. Kakko, J. P. Huhtio, T. Lipsanen, H. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 12. - С. 1587-1591 |
| Имя макрообъекта | Трухин_резонансный |
| Тип документа | b |
