-
Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Боков, П. Ю., Червяков, А. В.
Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 493-499
Асланян_исследование
-
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
Авакянц, Л. П., Боков, П. Ю., Казаков, И. П., Базалевский, М. А., Деев, П. М., Червяков, А. В.
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 708-711
Авакянц_исследование
-
Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be{+}
Авакянц, Л. П., Боков, П. Ю., Червяков, А. В.
Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be{+}, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 177-181
Авакянц_комбинационное
-
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода
Авакянц, Л. П., Асланян, А .Э., Боков, П. Ю., Положенцев, К. Ю., Червяков, А. В.
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 198-201
Авакянц_спектры
-
Исследование неравновесного Оже-перехода по данным эмиссионной Оже-спектроскопии
Бурмистров, Е. Р., Авакянц, Л. П.
Исследование неравновесного Оже-перехода по данным эмиссионной Оже-спектроскопии, Е. Р. Бурмистров, Л. П. Авакянц
// Журнал прикладной спектроскопии .-
2021 .-
Т. 88, № 5. - С. 675-681 .-
-
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 292-295
Асланян_фотореверсивный
-
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Мирзаи, С. С., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 420-425
Асланян_исследование
