| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям методом спектроскопии фототока в диапазоне длин волн 350-500 нм. В результате анализа серии спектров, полученных при различных смещениях p-n-перехода, обнаружен эффект смены направления фототока при изменении длины волны возбуждения (фотореверсивный эффект). Установлен диапазон смещений p-n-перехода, при котором наблюдается указанный эффект для структур с разным количеством квантовых ям в активной области. |
| Ключевые слова | светодиодные гетероструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 3. - С. 292-295 |
|
| Имя макрообъекта | Асланян_фотореверсивный |
