| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/675768210 |
| Дата корректировки | 9:27:27 31 мая 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2020.03.49035.9296 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Асланян, А. Э. | |
|
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям Электронный ресурс |
|
| Photoreversible current in InGaN/GaN based LED heterostructures with different number of QWs | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Исследованы светодиодные гетероструктуры на основе InGaN/GaN с различным количеством квантовых ям методом спектроскопии фототока в диапазоне длин волн 350-500 нм. В результате анализа серии спектров, полученных при различных смещениях p-n-перехода, обнаружен эффект смены направления фототока при изменении длины волны возбуждения (фотореверсивный эффект). Установлен диапазон смещений p-n-перехода, при котором наблюдается указанный эффект для структур с разным количеством квантовых ям в активной области. |
| Ключевые слова | светодиодные гетероструктуры |
|
гетероструктуры фотореверсивный ток фототок квантовые ямы нитрид галлия спектроскопия p-n-переходы |
|
|
Авакянц, Л. П. Червяков, А. В. Туркин, А. Н. Курешов, В. А. Сабитов, Д. Р. Мармалюк, А. А. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 3. - С. 292-295 |
|
| Имя макрообъекта | Асланян_фотореверсивный |
| Тип документа | b |
