-
Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий
Зыкова, Е. Ю., Озерова, К. Е., Татаринцев, А. А., Туркин, А. Н.
Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий, Е. Ю. Зыкова, К. Е. Озерова, А. А.. Татаринцев, А. Н. Туркин
1 файл (331 Кб) .-
Загл. с титул. экрана .-
// Оптика и спектроскопия .-
2022 .-
Т. 130, № 9. - С. 1372-1377 .-
-
Спектры люминесценции мощных светодиодов на основе нитрида галлия в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра
Волков, В. В., Коган, Л. М., Туркин, А. Н., Юнович, А. Э.
Спектры люминесценции мощных светодиодов на основе нитрида галлия в ультрафиолетовой и фиолетовой областях спектра, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 10. - С. 1172-1176
Волков_спектры
-
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 3. - С. 292-295
Асланян_фотореверсивный
-
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания
Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Червяков, А. В., Туркин, А. Н., Мирзаи, С. С., Курешов, В. А., Сабитов, Д. Р., Мармалюк, А. А.
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания, [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 4. - С. 420-425
Асланян_исследование
