| Индекс УДК | 535.37 |
|
Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергий Е. Ю. Зыкова, К. Е. Озерова, А. А.. Татаринцев, А. Н. Туркин |
|
| Объем | 1 файл (331 Кб) |
| Примечание | Загл. с титул. экрана |
| Аннотация | Для интерпретации процесса зарядки монокристаллического сапфира и влияния на этот процесс радиационно-стимулированных дефектов проведены фотолюминесцентные исследования исходного монокристаллического сапфира, а также сапфира, предварительно облученного ионами и электронами низких энергий. Спектры фотолюминесценции получены с использованием конфокального микроскопа с длиной волны возбуждения 445 nm и неконфокальным методом на длине волны 355 nm. Полученные результаты для всех образцов показали линии, связанные с собственными дефектами, а также c примесными дефектами. Предварительное ионное облучение приводит к разупорядочению приповерхностной области образца, что проявляется в значительном увеличении интенсивности фотолюминесценции. Предварительное электронное облучение может приводить к изменению зарядового состояния изначально существующих в кристалле дефектов. |
| Название источника | Оптика и спектроскопия |
| Место и дата издания | 2022 |
| Прочая информация | Т. 130, № 9. - С. 1372-1377 |
|
https://elibrary.ru/item.asp?id=49705279 |
