| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Методом спектроскопии электропропускания исследованы внутренние электрические поля светодиодных гетероструктур зелeного свечения на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям в активной области. Проведено отнесение частот наблюдаемых спектральных линий с возможными типами межзонных переходов. Обнаружено увеличение числа межзонных переходов типа ”квантовая яма-квантовый барьер“ по мере увеличения числа квантовых ям, что объясняется неодинаковой степенью сегрегации атомов In в разные барьерные слои GaN. С помощью серии спектров электропропускания при разном смещении p-n-перехода рассчитана напряжeнность внутренних электрических полей в квантовых ямах. Обнаружено, что с ростом числа квантовых ям напряжeнность внутреннего пьезоэлектрического поля уменьшается с 3.20 до 2.82МВ/см. |
| Ключевые слова | светодиодные гетероструктуры |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 4. - С. 420-425 |
|
| Имя макрообъекта | Асланян_исследование |
