Поиск

Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs

Авторы: Авакянц, Л. П. Боков, П. Ю. Казаков, И. П. Базалевский, М. А. Деев, П. М. Червяков, А. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
Электронный ресурс
Ключевые слова спектроскопия фотоотражения
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 7. - С. 708-711
Имя макрообъекта Авакянц_исследование