| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода Электронный ресурс |
|
| Аннотация | В спектрах электроотражения гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN обнаружена линия E = 2.77 эВ шириной Г = 88 мэВ, связанная с межзонными переходами в области множественных квантовых ям активной области. При уменьшении амплитуды модулирующего напряжения от 2.9 до 0.4 В наблюдается расщепление этой линии на две с энергиями E[1] = 2.55 эВ и E[2] = 2.75 эВ, ширины которых составляют Г[1] = 66 мэВ и Г[2] = 74мэВ соответственно. Это указывает на то, что эти линии обусловлены межзонными переходами в отдельных квантовых ямах активной области. Различие энергий межзонных переходов E[1] и E[2] в идентичных квантовых ямах активной области связано с тем, что квантовые ямы помещены в неоднородное электрическое поле. В работе оценивались модули напряженности электрических полей в отдельных квантовых ямах активной области гетероструктуры. Их значения составили 1.6 и 2.2МВ/см. |
| Ключевые слова | cпектры электроотражения |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 198-201 |
|
| Имя макрообъекта | Авакянц_спектры |
