| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678806543 |
| Дата корректировки | 13:29:55 5 июля 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2017.02.44104.8271 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Авакянц, Л. П. | |
|
Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода Электронный ресурс |
|
| Electroreflectance spectra from InGaN/GaN multiple quantum wells placed into non-uniform electric field of p-n-junction | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | В спектрах электроотражения гетероструктуры GaN/InGaN/AlGaN обнаружена линия E = 2.77 эВ шириной Г = 88 мэВ, связанная с межзонными переходами в области множественных квантовых ям активной области. При уменьшении амплитуды модулирующего напряжения от 2.9 до 0.4 В наблюдается расщепление этой линии на две с энергиями E[1] = 2.55 эВ и E[2] = 2.75 эВ, ширины которых составляют Г[1] = 66 мэВ и Г[2] = 74мэВ соответственно. Это указывает на то, что эти линии обусловлены межзонными переходами в отдельных квантовых ямах активной области. Различие энергий межзонных переходов E[1] и E[2] в идентичных квантовых ямах активной области связано с тем, что квантовые ямы помещены в неоднородное электрическое поле. В работе оценивались модули напряженности электрических полей в отдельных квантовых ямах активной области гетероструктуры. Их значения составили 1.6 и 2.2МВ/см. |
| Ключевые слова | cпектры электроотражения |
|
квантовые ямы светодиодные гетероструктуры гетероструктуры эффект Штарка спектроскопия p-n-переходы полупроводники |
|
|
Асланян, А .Э. Боков, П. Ю. Положенцев, К. Ю. Червяков, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 198-201 |
|
| Имя макрообъекта | Авакянц_спектры |
| Тип документа | b |
