Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Боков, П. Ю.

Статьи. Автор - Боков, П. Ю.

• Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения
  Асланян, А. Э., Авакянц, Л. П., Боков, П. Ю., Червяков, А. В.
  
  Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 4. - С. 493-499 Асланян_исследование
• Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs
  Авакянц, Л. П., Боков, П. Ю., Казаков, И. П., Базалевский, М. А., Деев, П. М., Червяков, А. В.
  
  Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 7. - С. 708-711 Авакянц_исследование
• Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be{+}
  Авакянц, Л. П., Боков, П. Ю., Червяков, А. В.
  
  Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be{+}, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 177-181 Авакянц_комбинационное
• Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода
  Авакянц, Л. П., Асланян, А .Э., Боков, П. Ю., Положенцев, К. Ю., Червяков, А. В.
  
  Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле p-n-перехода, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 2. - С. 198-201 Авакянц_спектры