| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be{+} Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Кристаллы InP с ориентацией (100), имплантированные ионами Be{+} с энергией 100 кэВ и дозами 10{13} - 10{15} см{-2}, исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света до и после термического отжига при температурах 300-850°C. Обнаружено, что с ростом дозы имплантированных ионов приповерхностная область InP частично аморфизуется, при этом спектральные линии, связанные с продольными колебаниями решетки претерпевают низкочастотный сдвиг и неоднородное уширение, что свидетельствует о формировании нанокристаллической фазы. Термический отжиг приводит к восстановлению кристаллической структуры InP. При температурах отжига > 700°C в спектрах комбинационного рассеяния обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, что объясняется электрической активацией примеси. По частоте связанной фонон-плазмонной моды в модели двухосцилляторной диэлектрической функции оценена концентрация тяжелых дырок. |
| Ключевые слова | комбинационное рассеяние света |
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 177-181 |
|
| Имя макрообъекта | Авакянц_комбинационное |
