| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/678472865 |
| Дата корректировки | 16:50:53 1 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.02.44100.8310 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Авакянц, Л. П. | |
|
Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be{+} Электронный ресурс |
|
| Raman scattering of InP implanted with Be{+} ions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Кристаллы InP с ориентацией (100), имплантированные ионами Be{+} с энергией 100 кэВ и дозами 10{13} - 10{15} см{-2}, исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света до и после термического отжига при температурах 300-850°C. Обнаружено, что с ростом дозы имплантированных ионов приповерхностная область InP частично аморфизуется, при этом спектральные линии, связанные с продольными колебаниями решетки претерпевают низкочастотный сдвиг и неоднородное уширение, что свидетельствует о формировании нанокристаллической фазы. Термический отжиг приводит к восстановлению кристаллической структуры InP. При температурах отжига > 700°C в спектрах комбинационного рассеяния обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, что объясняется электрической активацией примеси. По частоте связанной фонон-плазмонной моды в модели двухосцилляторной диэлектрической функции оценена концентрация тяжелых дырок. |
| Ключевые слова | комбинационное рассеяние света |
|
легирование имплантация ионов спектроскопия ионная имплантация эффект Холла полупроводники спектры комбинационного рассеяния ионы бериллия |
|
|
Боков, П. Ю. Червяков, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 2. - С. 177-181 |
|
| Имя макрообъекта | Авакянц_комбинационное |
| Тип документа | b |
