Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Маркевич, В. П.

Статьи. Автор - Маркевич, В. П.

• Влияние примесного состава и температуры облучения на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии
  Коршунов, Ф. П., Медведева, И. Ф., Мурин, Л. И., Литвинко, А. Г., Маркевич, В. П.
  
  Влияние примесного состава и температуры облучения на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии, [Текст] ил., табл. Доклады Национальной академии наук Беларуси, 2011, Т. 55, № 3. - С. 110-114
• Трансформация структурных дефектов и состояния водорода при термообработке гидрогенизированного кремния
  Покотило, Ю. М., Петух, А. Н., Смирнова, О. Ю., Стельмах, Г. Ф., Маркевич, В. П., Королик, О. В., Свито, И. А., Saad, A.
  
  Трансформация структурных дефектов и состояния водорода при термообработке гидрогенизированного кремния, Покотило Ю. М., Петух А. Н., Смирнова О. Ю. [и др.] // Журнал прикладной спектроскопии .- 2019 .- Т. 86, № 5. - С. 735-738 .-
• Метастабильные дефекты в полупроводниках: тривакансия в кремнии
  Ластовский, С. Б., Маркевич, В. П., Мурин, Л. И., Коршунов, Ф. П., Богатырев, Ю. В.
  
  Метастабильные дефекты в полупроводниках: тривакансия в кремнии, [Текст] ил. Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук, 2013, № 4. - С. 43-47
• Оптические и электронные свойства твердых растворов германий-кремний
  Смирнова, О. Ю., Стельмах, Г. Ф., Покотило, Ю. М., Петух, А. Н., Маркевич, В. П., Королик, О. В., Мазаник, А. В.
  
  Оптические и электронные свойства твердых растворов германий-кремний, О. Ю. Смирнова [и др.] табл., рис. 2018 .- № 2. - С. 52-60 .- // Журнал Белорусского государственного университета. Физика .-
• Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V[2]O[2] и V[3]O[2] в облученных кристаллах кремния
  Толкачева, Е. А., Толкачёва, Е. А., Маркевич, В. П., Мурин, Л. И.
  
  Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V[2]O[2] и V[3]O[2] в облученных кристаллах кремния, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 973-979 Толкачева_оптические
• Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n{+} - p-структурах
  Ластовский, С. Б., Маркевич, В. П., Якушевич, А. С., Мурин, Л. И., Крылов, В. П.
  
  Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n{+} - p-структурах, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 6. - С. 767-771 Ластовский_радиационно
• Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии
  Покотило, Ю. М., Петух, А. Н., Литвинов, В. В., Маркевич, В. П., Абросимов, Н. В. , Камышан, А. С., Гиро, А. В., Соляникова, К. А.
  
  Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии, [Электронный ресурс] ил., табл. // Физика и техника полупроводников .- 2016 .- Т. 50, вып. 8. - С. 1143-1145 .- Покотило_формирование
• Физика и техника полупроводников
  Толкачева, Е. А., Маркевич, В. П., Мурин, Л. И.
  
  Физика и техника полупроводников, Е. А. Толкачева, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин 2021 .- 3 рис., 2 табл.
• Бистабильные центры с глубокими уровнями в облученных кристаллах кремния p-типа
  Ластовский, С. Б., Маркевич, В. П., Коршунов, Ф. П., Якушевич, А. С., Мурин, Л. И., Макаренко, Л. Ф.
  
  Бистабильные центры с глубокими уровнями в облученных кристаллах кремния p-типа, С. Б. Ластовский [и др.] 2015 .- Т. 59, № 4. - С. 57-62 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-
• Влияние положения уровня Ферми на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии
  Коршунов, Ф. П., Ластовский, С. Б., Якушевич, А. С., Маркевич, В. П., Мурин, Л. И.
  
  Влияние положения уровня Ферми на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии, Ф. П. Коршунов [и др.] рис. 2018 .- Т. 62, № 5. - С. 540-545 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-