Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n{+} - p-структурах - Статьи - Базы данных - БГТУ

Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n{+} - p-структурах

Авторы: Ластовский, С. Б. Маркевич, В. П. Якушевич, А. С. Мурин, Л. И. Крылов, В. П.

Подробная информация

Индекс УДК	621.315.592
	Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n{+} - p-структурах Электронный ресурс
Аннотация	Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и альфа-частицами. Обнаружен и исследован новый радиационно-индуцированный дефект, обладающий свойствами бистабильных центров. После длительного хранения облученных образцов при комнатной температуре либо их кратковременного отжига при T ~ 370K дефект не проявляет электрической активности в кремнии p-типа. Однако в результате последующей инжекции неосновных носителей заряда данный центр переходит в метастабильную конфигурацию с лубокими уровнями у E[V] + 0.45 эВ и E[V] + 0.54 эВ. Обратный переход в основную конфигурацию имеет место в диапазоне температур 50-100°C и характеризуется энергией активации ~ 1.25 эВ и частотным фактором ~ 5 · 10{15} с{-1}. Обнаруженный дефект термически стабилен до T ~ 450 K. Предполагается, что данный дефект может быть либо комплексом собственный межузельный атом кремния-межузельный атом углерода, либо комплексом собственный межузельный атом кремния-межузельный атом бора.
	Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 6. - С. 767-771
Имя макрообъекта	Ластовский_радиационно