| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671037157 |
| Дата корректировки | 16:07:27 6 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Ластовский, С. Б. | |
|
Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n{+} - p-структурах Электронный ресурс |
|
| Bistable radiation-induced centers with deep levels in silicon n{+} - p-structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 20 назв. |
| Аннотация | Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и альфа-частицами. Обнаружен и исследован новый радиационно-индуцированный дефект, обладающий свойствами бистабильных центров. После длительного хранения облученных образцов при комнатной температуре либо их кратковременного отжига при T ~ 370K дефект не проявляет электрической активности в кремнии p-типа. Однако в результате последующей инжекции неосновных носителей заряда данный центр переходит в метастабильную конфигурацию с лубокими уровнями у E[V] + 0.45 эВ и E[V] + 0.54 эВ. Обратный переход в основную конфигурацию имеет место в диапазоне температур 50-100°C и характеризуется энергией активации ~ 1.25 эВ и частотным фактором ~ 5 · 10{15} с{-1}. Обнаруженный дефект термически стабилен до T ~ 450 K. Предполагается, что данный дефект может быть либо комплексом собственный межузельный атом кремния-межузельный атом углерода, либо комплексом собственный межузельный атом кремния-межузельный атом бора. |
|
кремний p-типа радиационно-индуцированные дефекты бистабильные центры бистабильные дефекты дефекты в кристаллах радиационно-индуцированные центры в кремнии полупроводники |
|
|
Маркевич, В. П. Якушевич, А. С. Мурин, Л. И. Крылов, В. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 6. - С. 767-771 |
|
| Имя макрообъекта | Ластовский_радиационно |
| Тип документа | b |
