Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Мурин, Л. И.

Статьи. Автор - Мурин, Л. И.

• Влияние примесного состава и температуры облучения на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии
  Коршунов, Ф. П., Медведева, И. Ф., Мурин, Л. И., Литвинко, А. Г., Маркевич, В. П.
  
  Влияние примесного состава и температуры облучения на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии, [Текст] ил., табл. Доклады Национальной академии наук Беларуси, 2011, Т. 55, № 3. - С. 110-114
• Метастабильные дефекты в полупроводниках: тривакансия в кремнии
  Ластовский, С. Б., Маркевич, В. П., Мурин, Л. И., Коршунов, Ф. П., Богатырев, Ю. В.
  
  Метастабильные дефекты в полупроводниках: тривакансия в кремнии, [Текст] ил. Весці Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. Серыя фізіка-матэматычных навук, 2013, № 4. - С. 43-47
• Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V[2]O[2] и V[3]O[2] в облученных кристаллах кремния
  Толкачева, Е. А., Толкачёва, Е. А., Маркевич, В. П., Мурин, Л. И.
  
  Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V[2]O[2] и V[3]O[2] в облученных кристаллах кремния, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 9. - С. 973-979 Толкачева_оптические
• Локальные колебательные моды комплекса дивакансия-два атома кислорода в кремнии
  Толкачева, Е. А., Мурин, Л. И., Коршунов, Ф. П.
  
  Локальные колебательные моды комплекса дивакансия-два атома кислорода в кремнии, Е. А. Толкачева, Л. И. Мурин, Ф. П. Коршунов 2016 .- Т. 60, № 3. - С. 51-56 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-
• Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n{+} - p-структурах
  Ластовский, С. Б., Маркевич, В. П., Якушевич, А. С., Мурин, Л. И., Крылов, В. П.
  
  Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых n{+} - p-структурах, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 6. - С. 767-771 Ластовский_радиационно
• Физика и техника полупроводников
  Толкачева, Е. А., Маркевич, В. П., Мурин, Л. И.
  
  Физика и техника полупроводников, Е. А. Толкачева, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин 2021 .- 3 рис., 2 табл.
• Бистабильные центры с глубокими уровнями в облученных кристаллах кремния p-типа
  Ластовский, С. Б., Маркевич, В. П., Коршунов, Ф. П., Якушевич, А. С., Мурин, Л. И., Макаренко, Л. Ф.
  
  Бистабильные центры с глубокими уровнями в облученных кристаллах кремния p-типа, С. Б. Ластовский [и др.] 2015 .- Т. 59, № 4. - С. 57-62 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-
• Влияние положения уровня Ферми на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии
  Коршунов, Ф. П., Ластовский, С. Б., Якушевич, А. С., Маркевич, В. П., Мурин, Л. И.
  
  Влияние положения уровня Ферми на отжиг дефекта межузельный атом углерода в кремнии, Ф. П. Коршунов [и др.] рис. 2018 .- Т. 62, № 5. - С. 540-545 .- // Доклады Национальной академии наук Беларуси .-