| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Бистабильные центры с глубокими уровнями в облученных кристаллах кремния p-типа С. Б. Ластовский [и др.] |
|
| Аннотация | Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследованы электрически активные дефекты в кристаллах кремния p-типа, облученных быстрыми электронами и a-частицами. |
| Ключевые слова |
кремний быстрые электроны радиационно-индуцированные дефекты глубокие уровни бистабильность облученные кристаллы метастабильные дефекты полупроводниковые приборы |
| Место и дата издания | 2015 |
| Прочая информация | Т. 59, № 4. - С. 57-62 |
| Название источника | Доклады Национальной академии наук Беларуси |
