| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Исследованы профили распределения водородосодержащих доноров в твердых растворах Ge[1-x]Si[x] (0 <= x <= 0.06), имплантированных ионами водорода с энергией 200 и 330 кэВ, дозой 1 · 10{15} см{-2}. Установлено, что при более высокой энергии ионов предельная концентрация доноров при постимплантационной термообработке (275°C) достигается в течение ~ 30мин, а при более низкой энергии - в течение ~ 320 мин. В отличие от доноров, формирующихся вблизи поверхности, часть водородосодержащих доноров, образованных при имплантации ионов с более высокой энергией, обладает свойством бистабильности. Предельная концентрация доноров не зависит от энергии ионов, но снижается с ростом содержания примеси кремния от 1.3 · 10{16} см{-3} (x = 0.008) до 1.5 · 10{15} см{-3} (x = 0.062). Предполагается, что наблюдаемые различия обусловлены участием поверхности в процессе формирования доноров за счет существенного ее влияния на процессы дефектообразования, связанные с сопутствующими имплантации радиационными дефектами. |
| Ключевые слова | германий |
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 8. - С. 1143-1145 |
| Имя макрообъекта | Покотило_формирование |
