| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671886816 |
| Дата корректировки | 11:30:43 16 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Покотило, Ю. М. | |
|
Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии Электронный ресурс |
|
| Donor formation in germanium-silicon solid solutions implanted with various energy hydrogen ions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 15 назв. |
| Аннотация | Исследованы профили распределения водородосодержащих доноров в твердых растворах Ge[1-x]Si[x] (0 <= x <= 0.06), имплантированных ионами водорода с энергией 200 и 330 кэВ, дозой 1 · 10{15} см{-2}. Установлено, что при более высокой энергии ионов предельная концентрация доноров при постимплантационной термообработке (275°C) достигается в течение ~ 30мин, а при более низкой энергии - в течение ~ 320 мин. В отличие от доноров, формирующихся вблизи поверхности, часть водородосодержащих доноров, образованных при имплантации ионов с более высокой энергией, обладает свойством бистабильности. Предельная концентрация доноров не зависит от энергии ионов, но снижается с ростом содержания примеси кремния от 1.3 · 10{16} см{-3} (x = 0.008) до 1.5 · 10{15} см{-3} (x = 0.062). Предполагается, что наблюдаемые различия обусловлены участием поверхности в процессе формирования доноров за счет существенного ее влияния на процессы дефектообразования, связанные с сопутствующими имплантации радиационными дефектами. |
| Ключевые слова | германий |
|
кремний водородосодержащие доноры пучки протонов полупроводниковые кристаллы |
|
|
Петух, А. Н. Литвинов, В. В. Маркевич, В. П. Абросимов, Н. В. Камышан, А. С. Гиро, А. В. Соляникова, К. А. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2016 |
| Прочая информация | Т. 50, вып. 8. - С. 1143-1145 |
| Имя макрообъекта | Покотило_формирование |
| Тип документа | b |
