| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/695728543 |
| Дата корректировки | 11:24:09 17 января 2022 г. |
| 10.21883/FTP.2019.02.47092.8977 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Соболев, Н. А. | |
|
Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия Электронный ресурс |
|
| Influence of annealing temperature on electrically active centers in silicon implanted by germanium ions | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 17 назв. |
| Аннотация | Установлено, что имплантация выращенного методом Чохральского кремния p-типа проводимости ионами германия с энергией 1МэВ и дозой 2.5 · 10{14} см{-2} не приводит к аморфизации монокристаллического кремния. При последующем высокотемпературном отжиге имплантированных образцов происходит трансформация электрически активных акцепторных центров. Их концентрация и пространственное распределение зависят от температуры отжига. Обсуждаются возможные факторы, определяющие процесс их формирования. |
| Ключевые слова | температура отжига |
|
кремний германий ионы германия ионная имплантация люминесценция редкоземельных ионов дислокационная люминесценция |
|
|
Александров, О. В. Сахаров, В. И. Серенков, И. Т. Шек, Е. И. Калядин, А. Е. Паршин, Е. О. Мелесов, Н. С. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2019 Т. 53, вып. 2. - С. 161-164 |
|
| Имя макрообъекта | Соболев_влияние |
| Тип документа | b |
