Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Александров, О. В.

Статьи. Автор - Александров, О. В.

• Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции
  Александров, О. В., Золотарёв, С. И., Агеев, А. Н., Золотарев, С. И.
  
  Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 13. - С. 1625-1630 Александров_накопление
• Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
  Соболев, Н. А., Александров, О. В., Сахаров, В. И., Серенков, И. Т., Шек, Е. И. , Калядин, А. Е., Паршин, Е. О., Мелесов, Н. С.
  
  Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2019, Т. 53, вып. 2. - С. 161-164 Соболев_влияние
• Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота
  Иванова, Е. В., Ситникова, А. А., Александров, О. В., Заморянская, М. В.
  
  Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 6. - С. 807-810 Иванова_рост
• Влияние ловушек в диоксиде кремния на пробой МОП-структур
  Александров, О. В.
  
  Влияние ловушек в диоксиде кремния на пробой МОП-структур ил. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 8. - С. 1105-1109 Александров_влияние
• Модель накопления зарядов в n- и p-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора
  Александров, О. В., Мокрушина, С. А.
  
  Модель накопления зарядов в n- и p-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора, [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 6. - С. 637-642 Александров_модель
• Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур
  Александров, О. В., Мокрушина, С. А.
  
  Модель влияния смещения затвора при ионизирующем облучении МОП-структур, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 189-194 Александров_модель влияния
• Модель термополевой нестабильности p-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора
  Александров, О. В.
  
  Модель термополевой нестабильности p-МОП-транзисторов при отрицательном смещении затвора, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 2. - С. 181-188 Александров_модель