Поиск

Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции

Авторы: Александров, О. В. Золотарёв, С. И. Агеев, А. Н. Золотарев, С. И.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции
Электронный ресурс
Аннотация Изучено накопление зарядов в МОП-структурах с легированным и нелегированным поликремниевым затвором с Al-контактами и без них при тунннельной инжекции электронов из затвора и из кремниевой подложки. Показано, что независимо от полярности инжекции вблизи поликремниевого затвора накапливается отрицательный заряд, а вблизи кремниевой подложки положительный. При больших зарядах инжекции вблизи кремниевой подложки также появляется отрицательный заряд. Результаты описаны с помощью численной модели, в которой учтено образование электронных ловушек при нанесении Al-контактов и генерация электронных ловушек при рекомбинации свободных электронов с захваченными на ловушки дырками.
Ключевые слова поликремниевые затворы
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 13. - С. 1625-1630
Имя макрообъекта Александров_накопление