| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/691069530 |
| Дата корректировки | 11:57:18 24 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.13.46877.8875 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Александров, О. В. | |
|
Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции Электронный ресурс |
|
| Accumulation of charges in MOS-structures with polysilicon gate at tunnel injection | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 27 назв. |
| Аннотация | Изучено накопление зарядов в МОП-структурах с легированным и нелегированным поликремниевым затвором с Al-контактами и без них при тунннельной инжекции электронов из затвора и из кремниевой подложки. Показано, что независимо от полярности инжекции вблизи поликремниевого затвора накапливается отрицательный заряд, а вблизи кремниевой подложки положительный. При больших зарядах инжекции вблизи кремниевой подложки также появляется отрицательный заряд. Результаты описаны с помощью численной модели, в которой учтено образование электронных ловушек при нанесении Al-контактов и генерация электронных ловушек при рекомбинации свободных электронов с захваченными на ловушки дырками. |
| Золотарёв, С. И. | |
| Ключевые слова | поликремниевые затворы |
|
туннельная инжекция МОП-структуры кремниевые подложки электронные ловушки |
|
|
Агеев, А. Н. Золотарев, С. И. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 13. - С. 1625-1630 |
|
| Имя макрообъекта | Александров_накопление |
| Тип документа | b |
