| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Модель накопления зарядов в n- и p-МОП-транзисторах при туннельной инжекции электронов из затвора Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Разработана количественная модель накопления зарядов в подзатворном диэлектрике при туннельной инжекции электронов из затвора по механизму Фаулера-Нордгейма. В модели учитывается захват электронов и дырок на безводородные и водородосодержащие ловушки, а также генерация поверхностных состояний при взаимодействии дырок с водородосодержащими центрами. На основе модели проанализированы экспериментальные зависимости сдвигов порогового напряжения и напряжения на затворе n- и p-канальных МОП-транзисторов от инжектируемого заряда в режиме постоянного тока. |
| Ключевые слова | туннельная инжекция электронов |
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 6. - С. 637-642 |
|
| Имя макрообъекта | Александров_модель |
