| Индекс УДК | 621.315.592 |
|
Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота Электронный ресурс |
|
| Аннотация | Впервые обнаружено, что при высокотемпературном отжиге (T = 1150°C) в среде осушенного азота в приповерхностном слое термического диоксида кремния происходит образование нанокластеров кремния. Изучение спектров катодолюминесценции указывает на то, что при таком отжиге диоксида кремния образуется приповерхностная дефектная область, в которой при длительном отжиге формируются нанокластеры кремния. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано, что кластеры кремния имеют размеры 3-5.5 нм и располагаются на глубине около 10 нм от поверхности. Материалом для формирования нанокластеров кремния, служит кремний из термической пленки диоксида кремния. Такой метод формирования нанокластеров кремния предложен впервые. |
| Ключевые слова | нанокластеры кремния |
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 6. - С. 807-810 |
|
| Имя макрообъекта | Иванова_рост |
