| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/671033671 |
| Дата корректировки | 14:24:19 6 апреля 2021 г. |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванова, Е. В. | |
|
Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота Электронный ресурс |
|
| Silicon nanoclusters growth in thermal silica at annealing in nitrogen atmosphere | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Впервые обнаружено, что при высокотемпературном отжиге (T = 1150°C) в среде осушенного азота в приповерхностном слое термического диоксида кремния происходит образование нанокластеров кремния. Изучение спектров катодолюминесценции указывает на то, что при таком отжиге диоксида кремния образуется приповерхностная дефектная область, в которой при длительном отжиге формируются нанокластеры кремния. Методами просвечивающей электронной микроскопии показано, что кластеры кремния имеют размеры 3-5.5 нм и располагаются на глубине около 10 нм от поверхности. Материалом для формирования нанокластеров кремния, служит кремний из термической пленки диоксида кремния. Такой метод формирования нанокластеров кремния предложен впервые. |
| Ключевые слова | нанокластеры кремния |
|
диоксид кремния катодолюминесценция электронная микроскопия полупроводники |
|
|
Ситникова, А. А. Александров, О. В. Заморянская, М. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2016 Т. 50, вып. 6. - С. 807-810 |
|
| Имя макрообъекта | Иванова_рост |
| Тип документа | b |
