-
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI}
Караваев, М. Б., Кириленко, Д. А., Иванова, Е. В., Попова, Т. Б., Ситникова, А. А., Седова, И. В., Заморянская, М. В.
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI}, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 1. - С. 56-62
Караваев_исследование
-
Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота
Иванова, Е. В., Ситникова, А. А., Александров, О. В., Заморянская, М. В.
Рост нанокластеров кремния в термическом диоксиде кремния при отжиге в атмосфере азота, [Электронный ресурс]
ил., табл.
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 6. - С. 807-810
Иванова_рост
-
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с корневым профилем изменения состава (x = 0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
Соловьев, В. А., Соловьёв, В. А., Чернов, М. Ю., Ситникова, А. А., Брунков, П. Н., Мельцер, Б. Я., Иванов, С. В.
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с корневым профилем изменения состава (x = 0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001), [Электронный ресурс]
ил.
Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 1. - С. 127-132
Соловьев_оптимизация
-
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI}
Караваев, М. Б., Кириленко, Д. А., Иванова, Е. В., Попова, Т. Б., Ситникова, А. А., Седова, И. В., Заморянская, М. В.
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI}, [Электронный ресурс]
Физика и техника полупроводников, 2016, Т. 50, вып. 12. - С. 1726
Караваев_исследование
