Поиск

Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с корневым профилем изменения состава (x = 0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)

Авторы: Соловьев, В. А. Соловьёв, В. А. Чернов, М. Ю. Ситникова, А. А. Брунков, П. Н. Мельцер, Б. Я. Иванов, С. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с корневым профилем изменения состава (x = 0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001)
Электронный ресурс
Ключевые слова метаморфные буферные слои
Физика и техника полупроводников
2018
Т. 52, вып. 1. - С. 127-132
Имя макрообъекта Соловьев_оптимизация