Индекс УДК | 621.315.592 |
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с корневым профилем изменения состава (x = 0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001) Электронный ресурс |
|
Ключевые слова | метаморфные буферные слои |
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 127-132 |
|
Имя макрообъекта | Соловьев_оптимизация |