| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/687345602 |
| Дата корректировки | 9:27:11 12 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.01.45331.8626 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Соловьев, В. А. | |
|
Оптимизация структурных свойств и морфологии поверхности метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с корневым профилем изменения состава (x = 0.05-0.83), выращиваемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на GaAs (001) Электронный ресурс |
|
| Optimization of structural properties and surface morphology of convex-graded In[x]Al[1-x]As (x = 0.05-0.83) metamorphic buffer layer grown by MBE on GaAs (001) | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Представлены результаты оптимизации конструкции и условий роста метаморфного буферного слоя In[x]Al[1-x]As с большим содержанием In (x = 0.05-0.83), получаемого методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (001), с целью улучшения морфологических характеристик его поверхности и структурных свойств, а также снижения приповерхностной плотности прорастающих дислокаций. Наименьшие значения величины шероховатости поверхностного рельефа RMS = 2.3нм (на площади10 * 10 мкм) и плотности прорастающих дислокаций 5 · 107 см{-2} получены в образцах, содержащих метаморфный буферный слой с корневым профилем изменения состава по толщине. |
| Служебное примечание | Соловьёв, В. А. |
| Ключевые слова | метаморфные буферные слои |
|
молекулярно-пучковая эпитаксия узкозонные квантовые ямы квантовые ямы нелегированные подложки |
|
|
Чернов, М. Ю. Ситникова, А. А. Брунков, П. Н. Мельцер, Б. Я. Иванов, С. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 1. - С. 127-132 |
|
| Имя макрообъекта | Соловьев_оптимизация |
| Тип документа | b |
