Поиск

Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI}

Авторы: Караваев, М. Б. Кириленко, Д. А. Иванова, Е. В. Попова, Т. Б. Ситникова, А. А. Седова, И. В. Заморянская, М. В.
Подробная информация
Индекс УДК 621.315.592
Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений A{II}B{VI}
Электронный ресурс
Аннотация Методами локальной катодолюминесценции и рентгеноспектрального микроанализа проведено комплексное исследование широкозонных наногетероструктур на основе ZnSe, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Было показано, что используемые методы позволяют неразрушающим способом определять глубину залегания, элементный состав и геометрические параметры наноразмерного слоя ZnCdSe. Точность результатов контролировалась методом просвечивающей электронной микроскопии. Методики исследования основаны на возможности варьирования энергии первичного электронного пучка, что приводит к изменению областей генерации характеристического рентгеновского излучения и катодолюминесценции.
Ключевые слова наногетероструктуры
Физика и техника полупроводников
2017
Т. 51, вып. 1. - С. 56-62
Имя макрообъекта Караваев_исследование