| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690558045 |
| Дата корректировки | 14:02:36 18 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.12.46754.33 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Байдусь, Н. В. | |
|
Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si Электронный ресурс |
|
| Use of strain-compensating GaAsP layers for growth of InGaAs/GaAs quantum well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm, on the artificial Ge/Si substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs и искусственных подложках Ge/Si на основе Si(001) с эпитаксиальным метаморфным слоем Ge выращены лазерные структуры с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Для подавления релаксации упругих напряжений при росте квантовых ям InGaAs с высокой долей In применялись компенсирующие слои GaAsP. Сопоставлены структурные и излучательные свойства образцов, выращенных на различных типах подложек. На структурах, выращенных на подложках GaAs, получено стимулированное излучение на длинах волн до 1.24 мкм при температуре 300 K, выращенных на подложках Ge/Si - на длинах волн до 1.1 мкм при температуре 77 K. |
| Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
| Ключевые слова | лазерные гетероструктуры |
|
квантовые ямы подложки Ge/Si подложки GaAs арсенид индия-галлия арсенид галлия германий кремний стимулированное излучение |
|
|
Алешкин, В. Я. Дубинов, А. А. Красильник, З. Ф. Кудрявцев, К. Е. Некоркин, С. М. Новиков, А. В. Рыков, А. В. Реунов, Д. Г. Шалеев, М. В. Юнин, П. А. Юрасов, Д. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 12. - С. 1443-1446 |
| Имя макрообъекта | Байдусь_применение |
| Тип документа | b |
