| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/690371742 |
| Дата корректировки | 10:26:16 16 ноября 2021 г. |
| DOI | 10.21883/FTP.2018.11.46603.25 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Кудрявцев, К. Е. | |
|
Стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A{III}B{V} на кремниевых подложках Электронный ресурс |
|
| Stimulated emission in the 1.3-1.5 мm spectral range from hybrid AlGaInAs/InP quantum well heterostructures grown on Si substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на ”виртуальной подложке“ Ge/Si(100) с использованием буферных слоев GaAs и InP выращены ”гибридные” лазерные структуры с квантовыми ямами AlGaInAs. При оптической накачке полученных образцов достигнуто стимулированное излучение в диапазоне 1.3-1.5 мкм при температуре жидкого азота. Порог возникновения стимулированного излучения составил 30.70 кВт/см{2}. |
| Служебное примечание | Алёшкин, В. Я. |
| Ключевые слова | квантовые ямы |
|
гибридные светоизлучающие структуры кремниевые подложки подложки Si полупроводники газофазная эпитаксия |
|
|
Дубинов, А. А. Алешкин, В. Я. Юрасов, Д. В. Горлачук, П. В. Рябоштан, Ю. Л. Мармалюк, А. А. Новиков, А. В. Красильник, З. Ф. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 11. - С. 1384-1389 |
|
| Имя макрообъекта | Кудрявцев_стимулированное |
| Тип документа | b |
