| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/689785644 |
| Дата корректировки | 15:10:38 9 ноября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2018.09.46231.8659 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Середин, П. В. | |
|
Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия Электронный ресурс |
|
| Influence of electric-chemical etching modes on morphology, structural and optical properties of porous gallium arsenide | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 25 назв. |
| Аннотация | Методами рентгеновской дифракции, электронной микроскопии, инфракрасной и ультрафиолетовой спектроскопии в работе изучены свойства образцов пористого GaAs, полученного методом электрохимического травления монокристаллических пластин n-GaAs(100). Удалось показать, что подбором состава электролита и условий травления могут быть получены образцы не только с различной степенью пористости и размером пор (нано/микро), но и иным типом поверхности образца. Травление n-GaAs(100) в выбранных условиях не приводит к изменению ориентации пористого слоя относительно ориентации монокристаллической подложки GaAs(100), ведет к уменьшению полуширины дифракционного максимума по сравнению с исходной пластиной, приводит к расщеплению фононной моды в инфракрасных спектрах и частотному сдвигу компонент с учетом параметров анодного травления, а также меняет оптические свойства в ультрафиолетовом диапазоне. |
| Ключевые слова | электрохимическое травление |
|
арсенид галлия рентгеновской дифракция электронная микроскопия ультрафиолетовая спектроскопия инфракрасная спектроскопия монокристаллические пластины |
|
|
Леньшин, А. С. Федюкин, А. В. Голощапов, Д. Л. Лукин, А. Н. Арсентьев, И. Н. Жаботинский, А. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2018 Т. 52, вып. 9. - С. 1041-1048 |
|
| Имя макрообъекта | Середин_влияние |
| Тип документа | b |
