| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/688038932 |
| Дата корректировки | 10:09:40 20 октября 2021 г. |
| Стандартный номер | 10.21883/FTP.2018.03.45618.8596 |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Автор | Тихий, А. А. |
| Заглавие | Влияние термических условий получения и обработки на оптические свойства пленок In[2]O[3] |
| Физич. носитель | Текст |
| The properties of In[2]O[3] films, deposited by dc-magnetron sputtering on Al2O3 substrates with different temperatures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 11 назв. |
| Аннотация | Пленки In[2]O[3] на положках Al[2]O[3] (012) получены методом dc-магнетронного распыления при различных температурах (20-600°C). Исследование влияния отжига и температуры подложки на свойства пленок производилось эллипсометрическим методом и методом оптического пропускания. Построены профили показателя преломления; найдены значения ширины запрещенной зоны для прямых и "непрямых" переходов. Установлено, что отжиг приводит к уплотнению материала пленок и унификации значений показателя преломления. Также отжиг понижает и унифицирует энергии переходов зона-зона, что можно объяснить уменьшением влияния барьеров в отожженных пленках. Однако ширина запрещенной зоны для прямых переходов изменяется сильнее, чем для "непрямых". Это может быть связано с механизмом непрямых переходов - участие фононов облегчает межзонные переходы, даже если им препятствует наличие дополнительных барьеров, обусловленных границами зерен. Последнее может быть косвенным свидетельством реальности непрямых переходов в оксиде индия. |
| Служебное примечание | Жихарёва, Ю. И. |
| Жихарёв, И. В. | |
| Ключевые слова | пленки In[2]O[3] |
|
оксид индия полупроводники In[2]O[3] магнетронное распыление эллипсометрические измерения отожженные пленки оптические свойства пленок |
|
| Другие авторы | Николаенко, Ю. М. |
|
Жихарева, Ю. И. Корнеевец, А. С. Жихарев, И. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2018 |
| Прочая информация | Т. 52, вып. 3. - С. 337-341 |
| Имя макрообъекта | Тихий_влияние |
| Тип документа | b |
