|
Аннотация
|
Пленки In[2]O[3] на положках Al[2]O[3] (012) получены методом dc-магнетронного распыления при различных температурах (20-600°C). Исследование влияния отжига и температуры подложки на свойства пленок производилось эллипсометрическим методом и методом оптического пропускания. Построены профили показателя преломления; найдены значения ширины запрещенной зоны для прямых и "непрямых" переходов. Установлено, что отжиг приводит к уплотнению материала пленок и унификации значений показателя преломления. Также отжиг понижает и унифицирует энергии переходов зона-зона, что можно объяснить уменьшением влияния барьеров в отожженных пленках. Однако ширина запрещенной зоны для прямых переходов изменяется сильнее, чем для "непрямых". Это может быть связано с механизмом непрямых переходов - участие фононов облегчает межзонные переходы, даже если им препятствует наличие дополнительных барьеров, обусловленных границами зерен. Последнее может быть косвенным свидетельством реальности непрямых переходов в оксиде индия. |
