| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/686762130 |
| Дата корректировки | 15:18:41 5 октября 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.11.45092.06 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Калентьева, И. Л. | |
|
Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур Электронный ресурс |
|
| Features of the selective doping of manganese GaAs structures | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 9 назв. |
| Аннотация | Исследовано влияние технологических параметров на селективное легирование марганцем арсенид-галлиевых гетероструктур, изготавливаемых сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения. В качестве этих параметров использованы: содержание примеси в бета-слое марганца и температура формирования структуры. Установлено, что при температуре выращивания ~ 400°C и содержании примеси не более 0.2-0.3 монослоя изготовленные структуры демонстрируют наибольшую электрическую активность и обладают ферромагнитными свойствами. Изучение выращенных структур методами спектроскопии отражения, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии показало, что применение указанных выше условий при импульсном лазерном нанесении позволяет получать арсенид-галлиевые структуры, которые имеют хорошее кристаллическое качество, а марганец в таких структурах сосредоточен в тонком (7-8нм) слое без существенного диффузионного размытия и сегрегации. |
| Ключевые слова | селективное легирование |
|
легирование марганцем марганец арсенид галлия арсенид-галлиевые гетероструктуры гетероструктуры МОС-гидридная эпитаксия импульсное лазерное нанесение |
|
|
Вихрова, О. В. Данилов, Ю. А. Звонков, Б. Н. Кудрин, А. В. Дорохин, М. В. Павлов, Д. А. Антонов, И. Н. Дроздов, М. Н. Усов, Ю. В. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 11. - С. 1468-1472 |
|
| Имя макрообъекта | Калентьева_особенности |
| Тип документа | m |
