| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/680107402 |
| Дата корректировки | 14:47:46 20 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.05.44428.8427 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Хвостиков, В. П. | |
|
Фотоэлектрический приемник лазерного излучения (лямбда = 809нм) на основе GаAs Электронный ресурс |
|
| Laser (lambda = 809nm) power converter based on GaAs | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 14 назв. |
| Аннотация | На основе однопереходных гетероструктур AlGaAs/GaAs, полученных методом эпитаксии из жидкой фазы, созданы преобразователи лазерного излучения с длиной волны лямбда = 809 нм. Разработаны и протестированы фотоэлектрические модули с рабочим напряжением 4 В для преобразования излучения различной плотности. Исследованы два подхода - без использования оптических концентрирующих систем и с применением линз Френеля. В фотоэлектрическом приемнике на основе 64 преобразователей лазерного излучения площадью 0.04 см{2} и концентрирующей системы из матрицы кварцевых линз достигнут монохроматический кпд преобразования > 44%. |
| Ключевые слова | фотоэлектрические приемники |
|
лазерное излучение арсенид галлия полупроводниковые гетероструктуры фотоэлектрические преобразователи полупроводники |
|
|
Сорокина, С. В. Потапович, Н. С. Хвостикова, О. А. Тимошина, Н. Х. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 5. - С. 676-679 |
|
| Имя макрообъекта | Хвостиков_фотоэлектрический |
| Тип документа | b |
