| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679411438 |
| Дата корректировки | 13:31:43 12 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.04.44347.8408 | |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Галиев, Г. Б. | |
|
Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A Электронный ресурс |
|
| Generation and detection of terahertz radiation by low-temperature-grown epitaxial films GaAs on (100) and (111)A oriented GaAs substrates | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Методом терагерцевой спектроскопии исследована эффективность генерации и детектирования ТГц-излучения в диапазоне до 3 ТГц пленками LT-GaAs, содержащими легирующие эквидистантные бета-слои Si и выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А. На поверхности пленок были изготовлены микрополосковые фотопроводящие антенны. Генерация ТГц-излучения происходила при облучении зазора антенны фемтосекундными оптическими лазерными импульсами. Показано, что интенсивность ТГц-излучения от фотопроводящей антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A в 2 раза больше, чем от такой же антенны на LT-GaAs/GaAs (100), а чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (111)A как детектора ТГц-излучения в 1.4 раза превосходит чувствительность антенны на LT-GaAs/GaAs (100). |
| Пушкарев, С. С. | |
| Ключевые слова | эпитаксиальные пленки |
|
терагерцевая спектроскопия ТГц-излучения молекулярно-лучевая эпитаксия арсенид галлия подложки |
|
|
Пушкарёв, С. С. Буряков, А. М. Билык, В. Р. Мишина, Е. Д. Климов, Е. А. Васильевский, И. С. Мальцев, П. П. |
|
|
Физика и техника полупроводников 2017 Т. 51, вып. 4. - С. 529-534 |
|
| Имя макрообъекта | Галиев_генерация |
| Тип документа | b |
