| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/679136113 |
| Дата корректировки | 15:33:08 9 июля 2021 г. |
| 10.21883/FTP.2017.03.44214.8385 | |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Служба первич. каталог. | Шавель |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 621.315.592 |
| Иванов, П. А. | |
|
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диодов в режиме лавинного пробоя Электронный ресурс |
|
| Current-voltage characteristics of high voltage 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-diodes in avalanche breakdown mode | |
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
| Библиография | Библиогр.: 16 назв. |
| Аннотация | Изготовлены 4H-SiC p{+}-n[0]-n{+}-диоды с однородным лавинным пробоем при напряжении 1860 В. В лавинном режиме измерены импульсные вольт-амперные характеристики диодов до плотности тока 4000 А/см{2}. Показано,что напряжение лавинного пробоя растет при повышении температуры. Определены лавинное сопротивление диодов (8.6 · 10{-2} Ом·см{2}), скорость дрейфа электронов в n[0]-базе при полях выше 10{6} В/см (7.8 · 10{6} см/c), относительный температурный коэффициент напряжения пробоя (2.1 · 10{-4} K{-1}). |
| Ключевые слова | высоковольтные диоды |
|
диоды лавинный пробой лавинное сопротивление диоды Шоттки карбид кремния высоковольтные интегрированные шоттки вольт-амперные характеристики |
|
|
Потапов, А. С. Самсонова, Т. П. Грехов, И. В. |
|
| Название источника | Физика и техника полупроводников |
| Место и дата издания | 2017 |
| Прочая информация | Т. 51, вып. 3. - С. 390-394 |
| Имя макрообъекта | Иванов_вольт |
| Тип документа | b |
