Поиск

Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках

Авторы: Дроздов, Ю. Н. Краёв, С. А. Краев, С. А. Охапкин, А. И. Данильцев, В. М. Скороходов, Е. В.
Краткая информация
Маркер записи n
Контрольный номер RU/IS/BASE/676390339
Дата корректировки 14:22:16 7 июня 2021 г.
10.21883/FTP.2020.09.49839.33
Служба первич. каталог. Шавель
Код языка каталог. rus
Правила каталог. PSBO
Код языка издания rus
Индекс УДК 621.315.592
Дроздов, Ю. Н.
Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
Электронный ресурс
Features of gas-phase epitaxy of GaAs on non-planar substrates
Иллюстрации/ тип воспроизводства ил.
Библиография Библиогр.: 3 назв.
Аннотация Исследованы особенности формы поверхности эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на канавках шириной в несколько микрометров с вертикальными стенками и аспектным соотношением, близким к единице. Канавки формировались на поверхности пластины GaAs в установке плазмохимического травления, заращивались методом металлоорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении в реакторе.
Служебное примечание Краёв, С. А.
Ключевые слова плазмохимическое травление
узкие канавки
непланарные подложки
газофазная эпитаксия
эпитаксия
эпитаксиальные слои
арсенид галлия
Краев, С. А.
Охапкин, А. И.
Данильцев, В. М.
Скороходов, Е. В.
Физика и техника полупроводников
2020
Т. 54, вып. 9. - С. 958-961
Имя макрообъекта Дроздов_особенности
Тип документа b