Маркер записи | n |
Контрольный номер | RU/IS/BASE/676390339 |
Дата корректировки | 14:22:16 7 июня 2021 г. |
10.21883/FTP.2020.09.49839.33 | |
Служба первич. каталог. | Шавель |
Код языка каталог. | rus |
Правила каталог. | PSBO |
Код языка издания | rus |
Индекс УДК | 621.315.592 |
Дроздов, Ю. Н. | |
Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках Электронный ресурс |
|
Features of gas-phase epitaxy of GaAs on non-planar substrates | |
Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил. |
Библиография | Библиогр.: 3 назв. |
Аннотация | Исследованы особенности формы поверхности эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на канавках шириной в несколько микрометров с вертикальными стенками и аспектным соотношением, близким к единице. Канавки формировались на поверхности пластины GaAs в установке плазмохимического травления, заращивались методом металлоорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении в реакторе. |
Служебное примечание | Краёв, С. А. |
Ключевые слова | плазмохимическое травление |
узкие канавки непланарные подложки газофазная эпитаксия эпитаксия эпитаксиальные слои арсенид галлия |
|
Краев, С. А. Охапкин, А. И. Данильцев, В. М. Скороходов, Е. В. |
|
Физика и техника полупроводников 2020 Т. 54, вып. 9. - С. 958-961 |
|
Имя макрообъекта | Дроздов_особенности |
Тип документа | b |