Каталог библиотеки БГТУ

1. Базы данных
2. Статьи
3. Автор
4. Охапкин, А. И.

Статьи. Автор - Охапкин, А. И.

• Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
  Охапкин, А. И., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Юнин, П. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Королев, С. А., Дроздов, М. Н., Шашкин, В. И.
  
  Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 865-867 Охапкин_формирование
• Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC
  Юнин, П. А., Королёв, С. А., Краёв, С. А., Охапкин, А. И., Дроздов, М. Н., Королев, С. А., Архипова, Е. А., Краев, С. А., Дроздов, Ю. Н., Шашкин, В. И.
  
  Модификация соотношения sp{2}/sp{3}-гибридного углерода в PECVD пленках DLC, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 855-858 Юнин_модификация
• Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках
  Дроздов, Ю. Н., Краёв, С. А., Краев, С. А., Охапкин, А. И., Данильцев, В. М., Скороходов, Е. В.
  
  Особенности газофазной эпитаксии GaAs на непланарных подложках, [Электронный ресурс] ил. Физика и техника полупроводников, 2020, Т. 54, вып. 9. - С. 958-961 Дроздов_особенности
• Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном
  Охапкин, А. И., Королев, C. А., Королёв, C. А., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Хрыкин, О. И., Шашкин, В. И.
  
  Низкотемпературное осаждение пленок SiN[x] в индуктивно-связанной плазме SiH[4]/Ar+N[2] в условиях сильного разбавления силана аргоном , [Электронный ресурс] ил., табл. Физика и техника полупроводников, 2017, Т. 51, вып. 11. - С. 1503-1506 Охапкин_низкотемпературное
• Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl
  Охапкин, А. И., Юнин, П. А., Дроздов, М. Н., Краев, С. А., Скороходов, Е. В., Шашкин, В. И.
  
  Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C[2]F[5]Cl, [Электронный ресурс] цв. ил. Физика и техника полупроводников, 2018, Т. 52, вып. 11. - С. 1362-1365 Охапкин_плазмохимическое