| Маркер записи | n |
| Контрольный номер | RU/IS/BASE/676202691 |
| Дата корректировки | 11:06:50 5 июня 2021 г. |
| 10.21883/FTT.2019.03.47232.265 | |
| Служба первич. каталог. | Войтик |
| Код языка каталог. | rus |
| Правила каталог. | PSBO |
| Код языка издания | rus |
| Индекс УДК | 539.21 |
| Редьков, А. В. | |
|
Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов Электронный ресурс |
|
| Иллюстрации/ тип воспроизводства | ил., табл. |
| Библиография | Библиогр.: 21 назв. |
| Аннотация | Исследована временная эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов. Образцы SiC/Si исследованы методом сканирующей электронной микроскопии, эллипсометрии и конфокальной рамановской микроскопии. Показаны характерные этапы формирования пористого слоя: зарождение одиночных пор, их рост с образованием дендритоподобных структур и последующее срастание в сплошной слой. Продемонстрировано, что толщина пористого слоя на начальных этапах роста пропорциональна корню кубическому из времени. Обсуждаются возможные механизмы формирования пор и предложена теоретическая модель для описания зависимости средней толщины пористого слоя от времени, которая имеет хорошее качественное совпадение с экспериментальными результатами. |
| Ключевые слова | карбид кремния |
|
пленки тонкие пленки пористые слои пористые структуры формирование пористых слоев метод замещения атомов |
|
| Другие авторы | Гращенко, А. С. |
|
Кукушкин, С. А. Осипов, А. В. Котляр, К. П. Лихачев, А. И. Нащекин, А. В. Сошников, И. П. |
|
| Название источника | Физика твердого тела |
| Место и дата издания | 2019 |
| Прочая информация | Т. 61, вып. 3. - С. 433-440 |
| Имя макрообъекта | Редьков_эволюция |
| Тип документа | b |
