Поиск

Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов

Авторы: Оджаев, В. Б. Панфиленко, А. К. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Ковальчук, Н. С. Соловьев, Я. А. Филипеня, В. А. Шестовский, Д. В.
Краткая информация
Маркер записи n 22 4500
Контрольный номер BY/FL BSU/Stat/Lesovaya/279b306c69134c56ac289ac4eb0c4de2
Дата корректировки 13:48:23 27 января 2021 г.
Кодируемые данные 210113s2020||||by |||||||||||||||||rus||
Служба первич. каталог. Фундаментальная библиотека Белорусского государственного университета
БелАР
Код языка каталог. rus
Код языка издания rus
rus
Индекс УДК 621.382
Индекс ББК 32.852
070
Оджаев, В. Б.
доктор физико-математических наук
Владимир Борисович
Белорусский государственный университет
Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов
В. Б. Оджаев [и др.]
Дата издания оригинала 2020
Иллюстрации/ тип воспроизводства рис.
Текст
непосредственный
Библиография Библиогр.: с. 62-63 (22 назв.)
Аннотация Исследованы силовые МОП-транзисторы с вертикальной структурой.
Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова транзисторы
МОП-транзисторы
диэлектрики
подзатворные диэлектрики
ионная имплантация
азот
ионы азота
электрофизические свойства
070
Панфиленко, А. К.
Анатолий Кузьмич
ОАО "Интеграл"
070
Петлицкий, А. Н.
кандидат физико-математических наук
Александр Николаевич
ОАО "Интеграл"
070
Просолович, В. С.
кандидат физико-математических наук
Владислав Савельевич
Белорусский государственный университет
070
Ковальчук, Н. С.
кандидат технических наук
Наталья Станиславовна
ОАО "Интеграл"
070
Соловьев, Я. А.
кандидат технических наук
Ярослав Александрович
ОАО "Интеграл"
070
Филипеня, В. А.
Виктор Анатольевич
ОАО "Интеграл"
070
Шестовский, Д. В.
Дмитрий Викторович
ОАО "Интеграл"
BY/FL BSU/Stat/Lesovaya/fce98d220d344625b908bbc796acd354
Журнал Белорусского государственного университета. Физика
2020
№ 3. - С. 55-64
2520-2243
RU
863
https://elib.bsu.by/handle/123456789/253780
https://doi.org/10.33581/2520-2243-2020-3-55-64
Тип документа b
Физика и техника полупроводников