-
Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов
Оджаев, В. Б., Панфиленко, А. К., Петлицкий, А. Н., Просолович, В. С., Ковальчук, Н. С., Соловьев, Я. А., Филипеня, В. А., Шестовский, Д. В.
Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторов, В. Б. Оджаев [и др.]
2020 .-
рис.
-
Зарядовые свойства тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки
Ковальчук, Н. С., Марудо, Ю. А., Омельченко, А. А., Пилипенко, В. А., Солодуха, В. А., Демидович, С. А., Колос, В. В., Анищик, В. М., Филипеня, В. А., Шестовский, Д. В.
Зарядовые свойства тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработки, Н. С. Ковальчук [и др.]
2022 .-
2 рис.
-
еттерирование примесей в кремнии и параметры структур "металл-окисел-полупроводник"
Васильев, Ю. Б., Оджаев, В. Б., Панфиленко, А. К., Петлицкий, А. Н., Садовский, П. К., Тарасик, М. И. , Филипеня, В. А., Челядинский, А. Р.
Вестник БГУ. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика, 2016, № 3. - С. 37-42
-
Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ
Поклонский, Н. А., Горбачук, Н. И., Во Куанг Нья, Шпаковский, С. В., Филипеня, В. А., Ластовский, С. Б., Скуратов, В. А.
Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВ, [Текст]
ил., табл.
Вестник БГУ. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика, 2014, № 2. - С. 7-13
